二硫化钼（2H相）是一种间接带隙为1.2 eV的半导体。单层二硫化钼的带隙约为1.8 eV。例如，二硫化钼被用作光电探测器和晶体管。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，可以剥离成薄的二维层。二硫化钼属于第六族过渡金属二硫族化合物（TMDC）。

在HQ石墨烯中制备的2H相MoS2晶体具有典型的横向尺寸为～0.8-1 cm，六角形/矩形，具有金属外观。

技术参数

纯度: 99.995%

尺寸:～10 mm

颜色: 黑色

产品特点

Electrical properties：Semiconductor, n-type

Crystal structure：Hexagonal

Type：Synthetic

应用领域

固体润滑：由于2H-MoS2的层状结构，层与层之间靠较弱的范德华力相连接，极易发生滑移，从而具有较低的摩擦系数。

电池和超级电容器：2H-MoS2因其较高的理论比容量和独特的层状结构，成为锂或钠离子电池负极材料的候选者。理论上它也是超级电容器和析氢反应（HER）的良好候选材料。电催化和光催化：2H-MoS2具有优异的催化活性，可用于电催化、光催化和热催化等反应。

生物医学成像和药物输送：二维纳米MoS2颗粒与生物聚合物结合后，可以获得复杂的杀菌活性，适用于抗菌应用。

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