产品介绍：
产品说明
一般描述
石墨烯膜
生长方式：CVD合成
转移方式：干净的转移方式
质量控制：光学显微镜检查 & 拉曼检查
尺寸：1 cm x 1 cm
外观(颜色)：透明
透明度：>97%
外观(形式)：薄膜
覆盖率： >95%
石墨烯层数：1
厚度(理论上)：0.345 nm
Al2O3上的FET电子迁移率：2; 000 cm2/V·s
SiO2/Si上的FET电子迁移率(预期)：4; 000 cm2/V·s
薄层电阻：600 Ohms/sq。
粒度：最大10 μm
底物
尺寸：1.25 cm x 1.25 cm
类型/掺杂剂：P/B
方向：100
生长方式：CZ
电阻率：1-30 ohmcm
厚度：525 +/- 25μm
前表面：抛光
背面：蚀刻
涂层：两面晶片均为300 nm热氧化层
Sheet resistance measurements were performed in a vacuum chamber to ensure their reproducibility, within a four-point configuration (van der Pauw geometry, silver paint contact) with injection of currents above 10uA
石墨烯是一种独特的单原子厚度的石墨,以二维结构存在的碳的同素异形体。在所有合成技术中，石墨烯在各种基质上的化学气相沉积是大规模生产高质量石墨烯的最有前景的方法。 沉积在介电表面上的石墨烯在石墨烯FET中可能会表现出更好的性能。可以利用牺牲层铜薄膜通过直接化学气相沉积，使石墨烯沉积在SiO2/Si上。
应用
网络研讨会：用于多功能生物传感器的石墨烯纳米材料
基本信息
| NACRES | NA.23 |
产品性质
| 质量水平 | 100 |
| 形式 | film |
| 电阻 | 600 Ω/sq |
| 长度 × 宽度 × 厚度 | 1 cm × 1 cm × (theoretical) 0.345 nm, monolayer graphene film 1 cm × 1 cm × 525 μm, SiO2/Si substrate |
安全信息
| 象形图 |   |
| 警示用语： | Danger |
| 危险声明 | H319 - H335 - H350 - H372 |
| 预防措施声明 | P201 - P202 - P260 - P264 - P305 + P351 + P338 - P308 + P313 |
| 危险分类 | Carc. 1A - Eye Irrit. 2 - STOT RE 1 Inhalation - STOT SE 3 |
| 靶器官 | Lungs, Respiratory system |
| 储存分类代码 | 6.1D - Non-combustible, acute toxic Cat.3 / toxic hazardous materials or hazardous materials causing chronic effects |
| WGK | WGK 3 |
| 闪点(F) | Not applicable |
| 闪点(C) | Not applicable |
