产品介绍：
产品说明
包装
1, 5 ea in rigid mailer
特点和优势
III-V 族氮化物及许多其他外延膜的常用基底。
物理属性
热膨胀 = 7.5 × 10 -6 /℃；比热 = 0.10 cal/℃；热导率 = 46.06@0℃,25.12@100℃,12.56@400℃ (W/m,K)；介电常数 = ~9.4@300 K(A 轴，~11.58@C 轴)；A 轴上 10 GHz 时的损耗正切 < 2 × 10 -5 ，C 轴上 5 × 10 -6
外形
结晶，六方 (a = 4.758Å，c = 12.992)
基本信息
| 线性分子式 | Al2O3 |
| 分子量 | 101.96 |
| EC 号 | 215-691-6 |
| MDL编号 | MFCD00003424 |
| eCl@ss | 38120402 |
| PubChem化学物质编号 | 24882698 |
| NACRES | NA.23 |
产品性质
| 质量水平 | 100 |
| 描述 | Crystallographic D spacing ((0001) - c plane: 2.165 Angstrom) Crystallographic D spacing ((1011) - s plane: 1.961 Angstrom) Crystallographic D spacing ((1040) - m plane: 1.375 Angstrom) Crystallographic D spacing ((1102) - r plane: 1.740 Angstrom) Crystallographic D spacing ((1120) - a plane: 2.379 Angstrom) Crystallographic D spacing ((1123) - n plane: 1.147 Angstrom) single side polished |
| 形式 | single crystal substrate |
| 硬度 | 9 mohs |
| 长度 × 宽度 × 厚度 | 10 mm × 10 mm × 0.5 mm |
| mp | 2040 ℃ (lit.) |
| 半导体性质 | <0001> |
| SMILES string | O=[Al]O[Al]=O |
| InChI | 1S/2Al.3O |
| InChI key | TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N |
安全信息
| 储存分类代码 | 13 - Non Combustible Solids |
| WGK | nwg |
| 闪点(F) | Not applicable |
| 闪点(C) | Not applicable |
| 个人防护装备 | Eyeshields, Gloves, type N95 (US) |
