1200℃双管滑动式四通道混气CVD系统OTF-1200X-4-C4LV是专门为在金属箔表面生长薄膜而设计的,特别是应用在新一代能源——柔性金属箔电极方面的研究。
产品型号
1200℃双管滑动式四通道混气CVD系统OTF-1200X-4-C4LV
本设备要求在海拔1000m以下,温度25℃±15℃,湿度55%Rh±10%Rh下使用。
1、水:设备配有自循环冷却水机(加注纯净水或者去离子水)
2、电:AC380V 50Hz(63A空气开关),必须有良好接地
3、气:设备腔室内需充注氩气(纯度99.99%以上),需自备氩气气瓶(自带Ø6mm双卡套接头)
4、工作台:尺寸1500mm×600mm×700mm,承重200kg以上
5、通风装置:需要
主要特点
1、采用高纯氧化铝保温材料,保证了极好的温度均匀性。
2、内炉膛表面涂有美国进口氧化铝涂层,可以提高反射率和保护炉膛洁净度。
3、采用PID控制器,可以设置30段升降温程序。
4、金属箔缠绕在内管的外表面上发生CVD反应。
5、采用双管真空密封法兰,允许反应气体通过两管之间(10mm间隙)。
6、冷却气体直接通入内管。
7、配有带KF25快接和波纹管的高速机械泵。
8、炉底部装有滑轨,炉体可从一端滑向另一端,从而实现快速升温和降温。为了获得较快的加热速度,可以先将炉体预热,然后滑至放置样品处;为了获得较快的冷却速度,可将炉体滑至另一端,同时将冷气通入样品所在处。
9、密封法兰系统采用不锈钢制作。
10、已通过CE认证。
技术参数
管式炉
1、电源:单相AC 208V-240V 50Hz/60Hz 2.5KW (20A保险丝)
2、石英管:外管外径Ø100mm,内径Ø96mm,长1400mm
内管外径Ø80mm,内径Ø75mm,长1400mm
3、加热元件:掺钼铁铬铝合金电阻丝(表面涂有氧化锆)
4、加热区域:440mm
5、恒温区域:120mm(±1℃在400℃-1100℃)
6、工作温度:最高1100℃,连续工作1000℃
7、最大升降温速率:20℃/min
8、控温精度:±1℃
9、真空度:10-2torr(机械泵),10-5torr(分子泵)
质量流量混气系统
1、质子流量计:4路精密质子流量计,数字显示,气体流量自动控制
MFC1范围0-100sccm,MFC2范围0-200sccm,MFC3范围0-200sccm,MFC4范围0-500sccm
2、流量精度:0.2%
3、气路:4路(每个气路都有一个独立的不锈钢针阀控制)
4、进出气口:1/4"卡套
5、混气罐:1个
产品规格
尺寸:管式炉550mm×380mm×520mm,移动架600mm×600mm×597mm
重量:135kg
可选配件
1、分子泵
2、双温区管式炉
3、铜箔(生长石墨烯150mm×150mm×25µm)