系统主要由蒸发真空室、E型电子枪、热蒸发电极、旋转基片加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。 技术指标： 极限真空度：≤6.7×10 Pa 恢复真空时间：从1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min 系统漏率：6. 7×10-7Pa.L/S； 真空室：真空室500x500 x600mm采用U型箱体前开门，后置抽气系统e型电子枪：阳极电压：6kv、8kv(1套) 坩埚：水冷式坩埚，四穴设计，每个容量11ml 功率：0-6KW可调 电阻蒸发源(可选) 电压：5、10V 功率：电流300A，最大输出功率3Kw1套，可切换水冷电 极3根，组成2个蒸发舟 基片尺寸：可放置4″基片 样品台：基片可连续回转，转速5-60转/分基片与蒸发源之间距离300-350mm加热最高温度 800℃±1℃，可调手动控制样品挡板组件1套 气路系统：质量流量控制器1路 石英晶振膜厚控制仪：监测膜厚显示范围：0-99μ9999Å | 
