WSe2是一种间接带隙为～1.3 eV的半导体，单层WSe2具有直接带隙。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，可以剥离成薄的二维层。二硒化钨属于第六族过渡金属二硫族化合物（TMDC）。在HQ石墨烯中制备的WSe2晶体具有典型的横向尺寸为～0.8-1 cm，六角形和金属外观。我们制备了n型和p型WSe2，在室温下典型载流子密度为～1015cm-3。

技术参数

纯度: 99.995%

尺寸:～6-8 mm

颜色: 银灰色

产品特点

Electrical properties：Semiconductor，p-type

Crystal structure：Hexagonal

Type：Synthetic

应用领域

在电子学领域：

场效应晶体管（FET）：由于其出色的电学性能，可用于制造高性能、低功耗的场效应晶体管。例如，在下一代纳米电子器件中，能够实现更小的尺寸和更优的性能。

集成电路：有望成为未来集成电路中的关键组件，提高芯片的集成度和运算速度。

在能源领域：

太阳能电池：可用作太阳能电池的吸收层材料，提高光电转换效率。比如在新型薄膜太阳能电池中，有助于增强对太阳光的吸收和电荷传输。

锂离子电池：作为锂离子电池的电极材料，表现出良好的电化学性能和循环稳定性。

在催化领域：

析氢反应（HER）催化：在电解水制氢中，是一种有潜力的析氢反应催化剂，能够降低反应所需的能量，提高产氢效率。

其他信息

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